[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构无效
| 申请号： | 200710177794.9 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101442070A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，该结构由在砷化镓衬底上依次生长的晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、第一势垒层In0.52Al0.48As、第一腐蚀截止层InP、第二势垒层In0.52Al0.48As、第二腐蚀截止层InP和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。利用本发明，达到了在同一块GaAs衬底上同时制备增强型和耗尽型MHEMT器件和电路的目的，并提高了MHEMT器件功率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓基 增强 耗尽 应变 电子 迁移率 晶体管 材料 结构 | ||
【主权项】：
1、一种高速砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于，该结构由在砷化镓衬底上依次生长的晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、第一势垒层In0.52Al0.48As、第一腐蚀截止层InP、第二势垒层In0.52Al0.48As、第二腐蚀截止层InP和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。
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