[发明专利]等离子体约束装置及应用该约束装置的半导体处理设备有效
| 申请号： | 200710177831.6 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101441983A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 南建辉;宋巧丽;李东三 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/00;C23C16/513;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张天舒;陈 源 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体约束装置，用于限制等离子体向外扩散。所述约束装置包括至少一层筒状的约束罩，所述每一层约束罩上均开设有形成约束通道的通孔。本发明还提供了一种应用该等离子体约束装置的半导体处理设备，其包括反应腔室、上电极和下电极、以及上述等离子体约束装置，该约束装置位于反应腔室内并环绕着上电极和下电极之间的反应区域，以便阻止等离子体扩散到约束装置之外。本发明提供的等离子体约束装置及半导体处理设备不仅便于安装和维护，而且不易损坏。同时，该约束装置和半导体处理设备能够减少甚至避免等离子体在反应区域之外所造成的颗粒污染，进而提高产品良率、延长反应腔室内各部件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 约束 装置 应用 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子体约束装置，其特征在于，包括至少一层筒状的约束罩，所述每一层约束罩上均开设有形成约束通道的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
