[发明专利]X射线平板探测器无效
申请号: | 200710177958.8 | 申请日: | 2007-11-22 |
公开(公告)号: | CN101159283A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 赵玮 | 申请(专利权)人: | 德润特数字影像科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 吴涛 |
地址: | 100080北京市海淀区丹棱*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种X射线平板探测器,包括薄膜晶体管基板;像素电极层,设置在所述薄膜晶体管基板上;N型非晶硅层,设置在所述像素电极层上;非晶硅层,设置在所述N型非晶硅层,用于进行可见光转换成电信号;绝缘层,设置所述非晶硅层上;透明电极膜,设置在所述绝缘层上;以及光子转换层,设置在所述透明电极上,用于将X射线的能量转换成可见光。本发明提供的这种X射线平板探测器利用绝缘层替代P型非晶硅层,同样实现了光信号转换成电信号,但同时却节约生产成本。因此,本发明能够降低医疗仪器的生产成本,使得具有这种X射线平板探测器的医疗仪器能够被广泛使用,从而降低患者昂贵的医疗费用。 | ||
搜索关键词: | 射线 平板 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种X射线平板探测器,其特征在于,包括:薄膜晶体管基板,用于逐行读出电信号的电荷;像素电极层,设置在所述薄膜晶体管基板上,用于采集电信号的电荷;N型非晶硅层,设置在所述像素电极层上,用于阻止像素电极上的电荷的减少;非晶硅层,设置在所述N型非晶硅层,用于进行可见光转换成所述电信号;绝缘层,设置所述非晶硅层上,用于阻止电荷进入非晶硅层;透明电极膜,设置在所述绝缘层上,用于施加电压使非晶硅层产生光电效应;以及光子转换层,设置在所述透明电极上,用于将X射线的能量转换成可见光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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