[发明专利]一种聚焦环、包括该聚焦环的半导体设备及其应用无效
| 申请号： | 200710178287.7 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101447395A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 霍秀敏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/683;H01J37/32;H05H1/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 李 伟 |
| 地址： | 100016北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚焦环，其中，在聚焦环底部设置小孔，优选，小孔设置在聚焦环的内边缘；该聚焦环底部的小孔优选呈对称设置，至少设置两个小孔，小孔的孔径为1～5mm。本发明还公开了一种半导体设备，该半导体设备包括本发明的聚焦环。而且，本发明也提供了一种改善半导体制程中加工件背面污染的方法，其中，所用聚焦环为本发明的聚焦环，在每个工艺步骤的过程中，通过聚焦环底部的小孔向加工件背面通入惰性气体；通入的惰性气体为氩气或氦气，惰性气体的流量为20～300sccm，优选为50～200sccm，最佳为100sccm。本发明的方法能够有效的改善半导体制程中加工件背面的聚合物生长情况，而且不会产生其他负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚焦 包括 半导体设备 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种聚焦环，其特征在于，在聚焦环底部设置小孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
