[发明专利]单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构有效
| 申请号： | 200710178311.7 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101447484A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管材料结构，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开；所述GaAs基MHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、应变缓冲层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层InP在所述N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层InP上依次分子束外延生长的N型掺杂层In0.53Ga0.47As、不掺杂层In0.53Ga0.47As和P型掺杂层In0.53Ga0.47As构成。本发明将GaAs基MHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 砷化镓基 mhemt pin 二极管 材料 结构 | ||
【主权项】：
1、一种单片集成砷化镓GaAs基应变高电子迁移率晶体管MHEMT和PIN二极管材料结构，其特征在于，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开；所述GaAs基MHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、应变缓冲层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层In0.52Al0.48As和N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成；所述N型高掺杂腐蚀截止层InP在所述N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As上分子束外延生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层InP上依次分子束外延生长的N型掺杂层In0.53Ga0.47As、不掺杂层In0.53Ga0.47As和P型掺杂层In0.53Ga0.47As构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
