[发明专利]掺杂层中按设定图形嵌入金属层的半导体电致发光器件

摘要

本发明涉及一种在有源光电子器件、光电集成等领域应用的掺杂层中按设定图形嵌入金属层的半导体电致发光器件，属于集成光电子技术领域。其特征在于，在掺杂层中嵌入了外包裹有绝缘介质的金属层，分布位置由设定图形确定，而掺杂层的半导体介质则贯穿设定图形区域外的其余部分。这种设计在保证载流子通过掺杂层注入有源区的同时，有效的利用了金属表面等离子体对发光效率的增强效应。这有利于进一步提高基于在氮化镓材料的电致发光器件的效率，同时为基于氧化锌、纳米晶硅等材料的电致发光器件的实际应用提供了可能。

主权项

1.一种掺杂层中按设定图形嵌入金属层的半导体电致发光器件，含有：下掺杂层(011)，位于下掺杂层(011)上的有源区(012)，以及位于有源区(012)上的上掺杂层(013)，其特征在于，在上掺杂层(013)内部嵌有设定图形的绝缘介质(015)，在绝缘介质(015)的内部包裹着金属层(014)，其中金属为金、银、铝、铜、钛、镍、铬的一种、或是各自的合金、或是不同金属的复合多层构造，金属微观形态为颗粒、薄层、或颗粒与薄层的组合，厚度限定为1-50nm，金属层(014)到有源区(012)的距离限定为0-50nm。