[发明专利]一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 200710178778.1 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101452963A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;刘明;贾锐;陈宝钦;王琴;涂德钰;胡媛;管伟华;刘琦;李维龙;王永;杨潇楠;张森 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器，包括：硅衬底1、位于硅衬底1上两侧重掺杂的源导电区6和漏导电区7、源导电区6与漏导电区7之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层2、覆盖在隧穿介质层2上的金属纳米晶浮栅层3、覆盖在金属纳米晶浮栅层3上的控制栅介质层4，以及覆盖在控制栅介质层4上的栅电极材料层5。本发明同时公开了一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器的制作方法。利用本发明，降低了浮栅结构非挥发性存储器的编程/擦除电压和操作功耗，提高了编程/擦除操作速度、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能，提高了器件的集成度，并简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 晶浮栅非 挥发性 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器，其特征在于，该存储器包括：硅衬底(1)、位于硅衬底(1)上两侧重掺杂的源导电区(6)和漏导电区(7)、源导电区(6)与漏导电区(7)之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层(2)、覆盖在隧穿介质层(2)上的金属纳米晶浮栅层(3)、覆盖在金属纳米晶浮栅层(3)上的控制栅介质层(4)，以及覆盖在控制栅介质层(4)上的栅电极材料层(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710178778.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：线路板的线路结构的制造方法
- 下一篇：一种前转业务中的媒体协商方法
- 同类专利
- 专利分类
