[发明专利]等离子体处理装置及其屏蔽环有效
| 申请号： | 200710178984.2 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101452821A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 南建辉;宋巧丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/3213;H01J37/32;H05H1/00;H05H1/46;C23C16/44;C23C16/51 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100016北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体屏蔽环，包括固定连接于一体的上、下两层，其上层为耐等离子体的绝缘层(21)，其下层为导体层(22)；至少一个轴向延伸的排气通道(23)贯穿所述绝缘层(21)和导体层(22)，所述排气通道(23)为弯折通道。本发明还公开了一种包括所述等离子体屏蔽环(2)的等离子体处理装置。在排气通道(23)为弯折通道的情况下，绝大多数带电粒子将不可避免地与其弯折的内壁发生碰撞，进而失去所携带的电荷，转化为无害的中性粒子。因此，本发明所提供的等离子体屏蔽环(2)对等离子体的约束效果显著提高；本发明所提供的等离子体处理装置的内部结构不易受到破坏，其使用寿命显著延长。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 屏蔽 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体屏蔽环，包括固定连接于一体的上、下两层，其上层为耐等离子体的绝缘层(21)，其下层为导体层(22)；至少一个轴向延伸的排气通道(23)贯穿所述绝缘层(21)和导体层(22)，其特征在于，所述排气通道(23)为弯折通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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