[发明专利]一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染，抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。

主权项

1、一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：A、对氮化镓基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；B、进行光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；C、参照所述对准标记，进行光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；D、高温退火合金，使源漏金属与氮化镓基材料层形成良好的欧姆接触；E、进行光刻形成屏蔽有源区图形，并离子注入形成有源区隔离；F、湿法腐蚀二氧化硅保护层；G、在腐蚀了二氧化硅保护层的GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；H、电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的氮化镓基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，并金属布线。