[发明专利]一种降低自旋阀薄膜矫顽力的方法无效
| 申请号： | 200710179580.5 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101182632A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 丁雷;滕蛟;于广华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用二次退火降低自旋阀薄膜矫顽力的方法，属于信息电子、功能材料领域。在磁控溅射仪中制备自旋阀薄膜，在真空退火炉中进行退火。其特征在于：采用两次退火，退火顺序依次为在1000～3000Oe磁场下，在100～300℃温度下，保温0.5～3h后，降至室温；再在50～300Oe磁场下，在100～300℃温度下，保温0.5～3h；第一次退火时的磁场方向沿着自旋阀薄膜制备态时的易轴方向，第二次退火时的磁场方向与第一次退火时的磁场方向垂直；退火时本底真空度为1×10－4～1×10－5Pa；退火时通入一定流量的N2作为保护气体。本发明的优点在于：利用两次退火，既提高了自旋阀薄膜在室温下的磁阻效应，又明显降低了薄膜的矫顽力。本发明对改进磁传感器的性能有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 自旋 薄膜 矫顽力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低自旋阀薄膜矫顽力的方法，在磁控溅射仪中制备自旋阀薄膜，在真空退火炉中进行退火，退火时，本底真空为1×10-4～1×10-5Pa，在1000～3000Oe磁场下，磁场方向沿着自旋阀薄膜制备态时的易轴方向，在100～300℃温度下，保温0.5～3h后，降至室温，其特征在于：对退火后的自旋阀薄膜进行第二次退火，退火时，在50～300Oe磁场下，100～300℃温度下，保温0.5～3h。
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