[发明专利]一种控制半导体设备反应室温度的装置和方法无效
| 申请号： | 200710179613.6 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101458534A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 孙岩 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G05D23/19 | 分类号： | G05D23/19;G05B13/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 琦;王诚华 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制半导体设备反应室温度的装置和方法，包括温度控制算法模块、至少两个温度检测模块、至少两个温度控制模块；其中，温度检测模块检测半导体设备反应室检测处的温度，将检测出的温度值输出给温度控制算法模块；温度控制算法模块根据所有检测出的温度值和所有输入的温度设定值，并利用神经网络控制算法计算出针对每个温度控制模块的控制量；温度控制模块根据控制量对半导体设备反应室检测处的温度进行控制。应用本发明方案，可以克服单控制回路独立地对半导体设备反应室各部分温度进行控制的缺陷，从而更好地对反应室温度进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 半导体设备 反应 温度 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制半导体设备反应室温度的装置，其特征在于，该装置包括温度控制算法模块、至少两个温度检测模块、至少两个温度控制模块；所述温度检测模块与所述温度控制模块一一对应；所述温度检测模块，用于对半导体设备反应室检测位置处的温度进行检测，将检测出的温度值输出给温度控制算法模块；所述温度控制算法模块，用于根据所有温度检测模块检测出的温度值和所有输入的针对检测位置处的温度设定值，并利用神经网络控制算法计算出针对每个温度控制模块的控制量，并输出给对应的温度控制模块；所述温度控制模块，用于根据输入的控制量对温度检测模块检测位置处的温度进行控制。
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