[发明专利]采用籽晶法与螺旋选晶法组合制备Co基单晶高温合金的方法无效
申请号: | 200710179685.0 | 申请日: | 2007-12-17 |
公开(公告)号: | CN101205573A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 李树索;蒋立武;韩雅芳;武美伶 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C22C1/00 | 分类号: | C22C1/00;C22C19/07;C22F3/00;B22C3/00;B22D27/20 |
代理公司: | 北京永创新实专利事务所 | 代理人: | 周长琪 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用籽晶法与螺旋选晶法组合制备Co基单晶高温合金的方法,首先在Co基单晶高温合金体上定向切割出具有一定晶体取向的籽晶,将籽晶沿伸入螺旋选晶器蜡模一端,螺旋选晶器蜡模的另一端与零件蜡模连接,并在籽晶、螺旋选晶器蜡模和零件蜡模的外部涂挂陶瓷耐火浆料,然后经脱蜡、培烧制得带有籽晶的陶瓷模壳,利用陶瓷模壳在单晶炉中浇注成型制备Co基单晶高温合金材料。本发明单晶制备技术可以精确控制单晶的晶体取向及微观组织,制备优质的Co基单晶高温合金材料。 | ||
搜索关键词: | 采用 籽晶 螺旋 选晶法 组合 制备 co 基单晶 高温 合金 方法 | ||
【主权项】:
1.一种采用籽晶法与螺旋选晶法组合制备Co基单晶高温合金的方法,其特征在于包括有下列步骤:第一步,制备Co基单晶高温合金的籽晶;在Co基单晶高温合金体上定向切割出具有一定晶体取向的试块,并对试块的晶面进行抛光处理和表面腐蚀处理,获得Co基单晶高温合金籽晶;抛光处理条件:采用150#、360#、500#、1000#、2000#水磨砂纸磨光试块的晶面,然后在抛光机上进行抛光处理;表面腐蚀处理条件:将抛光后的试块采用腐蚀剂表面处理2~10min后取出,即得Co基单晶高温合金籽晶;第二步,制备螺旋选晶器蜡模;将蜡料在40~120℃的温度条件下熔化后注入螺旋选晶器模具中,并在0.5~10MPa压力下压制成型,制得螺旋选晶器蜡模2;第三步,制备零件蜡模;将蜡料在40~120℃的温度条件下熔化后注入零件模具中,并在0.5~10MPa压力下压制成型,制得零件蜡模3;第四步,将上述第一步中制得的Co基单晶高温合金籽晶1的晶面向上沿伸至上述第二步中制得的螺旋选晶器蜡模2中,且Co基单晶高温合金籽晶1伸入螺旋选晶器蜡模2有0.5~10mm;螺旋选晶器蜡模2的上端放置零件蜡模3;在Co基单晶高温合金籽晶1、螺旋选晶器蜡模2和零件蜡模3的外部涂挂3~20mm厚的陶瓷耐火浆料,然后在120~500℃温度下脱蜡,在800~1700℃温度下培烧5~15h后制得带有籽晶的陶瓷模壳;第五步,将上述第四步中制得的陶瓷模壳放入单晶炉中,调节单晶炉内温度至1300~1800℃,Co-(0~0.6)C-(20~28)Cr-(8~13)Ni-(5~10)W-(0~0.8)Mo-(0~0.5)Ti-(0~2)Al金属液通过浇注口4流入陶瓷模壳中,保温等待2~30min后;以0.1~15mm/min的速度向下移动拉晶,拉晶结束后,随炉冷却至室温后取出,即制得与Co基单晶高温合金籽晶晶体取向一致和优良凝固组织的Co基单晶高温合金材料;所述金属液的温度为1300~1650℃。
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