[发明专利]一种双输入路径的超宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 200710179862.5 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465618A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王晗;叶青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/42;H03F1/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种双输入路径的超宽带低噪声放大器。在传统的共栅结构基础上，增加了从栅极输入的高频路径，实现了一种“高频共源、低频共栅”的宽带输入匹配结构，实现了低噪声放大器的超宽带输入近似匹配。该结构在低频时利用放大器的跨导实现恒定的输入阻抗匹配，而高频时则利用共栅结构中的源极电感来实现高频输入匹配，同时利用高频输入时的低品质因子并和低频输入匹配结合，形成覆盖超宽频带的输入匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输入 路径 宽带 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
1. 一种双输入路径的宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：宽带输入匹配电路(11)，用于提供低噪声放大器的宽带输入匹配；共栅结构(12)，用于隔离输入端与输出端；CMOS晶体管(13)，用于提供放大器增益和噪声匹配；输入信号由所述宽带输入匹配电路(11)进入，分别经过所述宽带输入匹配电路(11)的两条不同路径到达输出端口；所述宽带输入匹配电路(11)的两个输出端口分别与所述CMOS晶体管(13)的栅极和源极相连；所述共栅结构(12)一端与所述CMOS晶体管(13)的源极相连，另一端与参考地相连。
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