[发明专利]过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻无效
| 申请号： | 200710180002.3 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101136271A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈朝阳;范艳伟;丛秀云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中；利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值低阻值热敏电阻，电学参数为50Ω－1.2KΩ，材料B值4100－4500K。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡 金属 多重 掺杂 温度 系数 单晶硅 热敏电阻 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，其特征在于采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中，利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿，制备出珠状热敏电阻器。
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