[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710180080.3 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101226965A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 金东贤;姜昌珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法，该非易失性存储器件包括衬底沟道区上的隧道绝缘层、在隧道绝缘层上的电荷俘获层图案和在电荷俘获层图案上的第一阻挡层图案。第二阻挡层图案在接近电荷俘获层图案侧壁的隧道绝缘层上。第二阻挡层图案配置来限制在电荷俘获层图案中俘获的电子的横向扩散。栅极在第一阻挡层图案上。第二阻挡层图案可以防止电荷俘获层图案中俘获的电子的横向扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：在衬底沟道区上的隧道绝缘层；在所述隧道绝缘层上的电荷俘获层图案；在所述电荷俘获层图案上的第一阻挡层图案；在接近所述电荷俘获层图案的侧壁的隧道绝缘层上的第二阻挡层图案，且配置来限制在电荷俘获层图案中俘获的电子的横向扩散；和在所述第一阻挡层图案上的栅极。
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