[发明专利]磁纳米元件中利用超薄阻尼层的阻尼控制无效
| 申请号： | 200710180209.0 | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101162757A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 格雷恩·迈耶;曼弗雷德·E·沙贝斯;简－乌尔里克·蒂勒 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波;马高平 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种层系统、形成该层系统的方法、以及利用该层系统的器件。在一实施例中，该方法包括提供一种包括第一层的双层系统，该第一层包括掺杂以选自4d过渡金属、5d过渡金属、以及4f稀土金属中的一种的掺杂剂材料的第一铁磁材料。该掺杂剂材料预定提供比该第一铁磁材料中的磁阻尼更大的该双层结构中的磁阻尼。该第一层可非常薄，例如小于或等于两纳米厚。该方法还包括提供设置在该第一层上的第二层。该第二层包括第二铁磁材料且该第二层可大于或等于两纳米厚。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 元件 利用 超薄 阻尼 控制 | ||
【主权项】：
1.一种双层结构，包括：第一层，包括掺杂以选自4d过渡金属、5d过渡金属、以及4f稀土金属中的一种的掺杂剂材料的第一铁磁材料，其中该掺杂剂材料预定提供比该第一铁磁材料中的磁阻尼更大的该双层结构中的磁阻尼，且其中该第一层小于或等于两纳米厚；以及第二层，设置在该第一层上，其中该第二层包括第二铁磁材料，且其中该第二层大于或等于两纳米厚。
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