[发明专利]半导体器件结构及基于晶体管密度的应力层的形成方法无效
| 申请号： | 200710180217.5 | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101162707A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈向东;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波;许向华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及一种用于增加包括在半导体器件中的晶体管的载流子迁移率的方法，该方法包括在多个晶体管上方形成引起应力的层，该晶体管形成在不同晶体管密度的区域中，其中该引起应力的层根据晶体管密度而形成为不同厚度，使得在增大的晶体管密度的区域中该引起应力的层更厚以及在减小的晶体管密度的区域中该引起应力的层更薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 基于 晶体管 密度 应力 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于增加包括在半导体器件中的晶体管的载流子迁移率的方法，所述方法包括：在多个晶体管之上形成引起应力的层，所述晶体管形成在不同晶体管密度的区域中；其中所述引起应力的层根据所述晶体管密度而以不同厚度形成，使得所述引起应力的层在具有增大的晶体管密度的区域中较厚以及在具有减小的晶体管密度的区域中较薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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