[发明专利]用自旋力矩转移写入的磁性随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200710180285.1 | 申请日： | 2007-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101192646A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 何家骅 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;H01F10/32;G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及用自旋力矩转移写入的磁性随机存取存储器及其制造方法。纳米磁性元件包括具有第一磁化方向且具有中心轴的第一硬磁体。元件还包括借由介电衬垫与第一硬磁体分离的第二硬磁体。第二硬磁体具有与第一硬磁体的第一磁化方向相反的第二磁化方向及中心轴，使得在第一硬磁体与第二硬磁体对准时，经由第一及第二硬磁体来形成封闭磁通量回路。元件另外包括具有中心轴的铁磁性自由层。自旋力矩转移电流沿着第一及第二硬磁体及铁磁性自由层的中心轴传递，且影响铁磁性自由层的磁化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 力矩 转移 写入 磁性 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米磁性元件，其特征在于包括：(a)一第一硬磁体，具有一第一磁化方向且具有一中心轴；(b)一第二硬磁体，其借由一介电衬垫与所述第一硬磁体分离，所述第二硬磁体具有与所述第一硬磁体的所述第一磁化方向相反的一第二磁化方向且具有一中心轴，使得在所述第一硬磁体与所述第二硬磁体对准时，经由所述第一硬磁体及第二硬磁体来形成一封闭磁通量回路；以及(c)一铁磁性自由层，具有一中心轴，使得一自旋力矩转移电流沿着所述第一硬磁体、所述第二硬磁体及所述铁磁性自由层的所述中心轴而传递，且影响所述铁磁性自由层的磁化方向。
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