[发明专利]磁阻效应元件、磁存储器、磁头及记录再生装置无效
| 申请号： | 200710180640.5 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101154710A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 藤庆彦;福泽英明;汤浅裕美 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01F10/32;H01F10/18;G11B5/39;G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;董红曼 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以谋求MR变化率提高的磁阻效应元件、磁存储器、磁头及磁记录再生装置。磁阻效应元件具有：磁化方向实质上被固定成一个方向的第1磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第2磁性层和设置在所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的间隔层，所述第1磁性层和所述第2磁性层的至少任一层含有式M1aM2bXc(5≤a≤68、10≤b≤73、22≤c≤85)所表示的磁性化合物，M1是选自Co、Fe、Ni的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Mn的至少一种元素，X是选自N、O、C的至少一种元素。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁存储器 磁头 记录 再生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于，具有磁化方向实质上被固定成一个方向的第1磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第2磁性层、和设置在所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的间隔层，所述第1磁性层和所述第2磁性层的至少任一层含有式M1aM2bXc所表示的磁性化合物，M1是选自Co、Fe、Ni的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Mn的至少一种元素，X是选自N、O、C的至少一种元素，其中，5≤a≤68、10≤b≤73、22≤c≤85。
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