[发明专利]具有加热器的相变化储存单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200710180760.5 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101252168A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有薄加热器的储存装置，并在一可程序化电阻变化材料(储存材料)次光刻(光刻)柱上形成一可程序化电阻变化区域，而其中该加热器形成在该顶电极和该可程序化材料之间。在一特定实施例中，一储存材料的次光刻柱为一位于该介电材料层内的硫属化物。当该储存装置程序化或重置时，在该可程序化电阻材料和该顶电极间的一加热器，会在紧邻该加热器处形成一活性区域或可程序化电阻变化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 加热器 相变 储存 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种储存装置，其特征在于，包含：一底电极；一顶电极；一储存材料，位于该底电极与该顶电极之间，其中该储存材料可由加热而被程序化成不同的电阻状态；一加热器，其包含一加热器材料，其中该加热器材料的电阻大于该顶电极的电阻，亦大于该储存材料当中最高电阻状态的电阻值，而该加热器位于该顶电极与该储存材料之间；一可程序化电阻变化区域，其位于所述储存材料中，可由该加热器电阻性地加热而被选择性地程序化，以便将该可程序化电阻变化区域由一第一电阻状态转换至一第二电阻状态，其中该可程序化电阻变化区域在邻近该加热器的该储存材料的一部位。
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