[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 200710180888.1 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101165932A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 今野泰一郎;新井优洋;饭塚和幸 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不减薄光取出层的层厚就能实现粗糙化的半导体发光元件。所述半导体发光元件具有包括活性层(6)和光取出层(4)的多个半导体层，且具有反射金属膜层(11)，所述光取出层(4)由组成比不同的多个层(23、24)构成，仅在这些多个层的最外侧层(23)上形成用于使主面S粗糙的凹凸(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，具有包括挟持在第一、第二包覆层之间的产生光的活性层和在第一包覆层侧的主面形成的光取出层的多个半导体层；还具有部分覆盖所述光取出层的第一电极、覆盖所述主面的相反面的第二电极、在第二包覆层和第二电极之间反射光线的反射金属膜层、与所述反射金属膜层的活性层侧相连的氧化物层、在所述氧化物层中部分形成的欧姆接触接合部；其特征在于：所述光取出层由组成比不同的多个层构成，仅在这些多个层的最外侧的层上，形成用于使所述主面粗糙的凹凸。
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