[发明专利]存储单元及其制程无效
| 申请号： | 200710181113.6 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101174672A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李明道;何家骅;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储单元及其制程。此制程是先于位于基底上方的导体层上形成第一电极层。然后，于第一电极层上形成过渡金属层。接着，对过渡金属层进行等离子体氧化步骤，以形成作为数据储存层的前驱物的过渡金属氧化物层。之后，于过渡金属氧化物层上形成第二电极层。在分别将第二电极层、过渡金属氧化物层与第一电极层图案化成第二电极、数据储存层与第一电极之后，形成了存储单元。此存储单元具有长的数据保持时间、低转换电压、高产品品质与节省制程开发成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 及其 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元的制程，其特征在于包括：于位于一基底上方的一导体层上形成一第一电极层；于该第一电极层上形成一过渡金属层；对该过渡金属层进行一等离子体氧化步骤，以形成作为一数据储存层的前驱物的一过渡金属氧化物层；以及于该过渡金属氧化物层上形成一第二电极层。
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