[发明专利]多晶硅层的制作方法

摘要

一种多晶硅层的制作方法。首先，提供基板。接着，于基板上形成非晶硅层。再来，提供图案化光掩模，此图案化光掩模包括透光区与遮光区，且以图案化光掩模为罩幕，对非晶硅层照射一光线，其中，对应透光区的非晶硅层转变为亲水性的非晶硅层，而对应遮光区的非晶硅层为疏水性的非晶硅层。继而，提供亲水性金属催化剂，配置在亲水性的非晶硅层上。之后，进行退火制程，使亲水性金属催化剂形成为金属催化剂层，并且，经由金属催化剂层的作用使非晶硅层转变为多晶硅层。

主权项

1.一种多晶硅层的制作方法，其特征在于包括：提供一基板；于该基板上形成一非晶硅层；提供一图案化光掩模，该图案化光掩模包括一透光区与一遮光区，且以该图案化光掩模为罩幕，对该非晶硅层照射一光线，其中，对应该透光区的该非晶硅层转变为亲水性的该非晶硅层，而对应该遮光区的该非晶硅层为疏水性的该非晶硅层；提供一亲水性金属催化剂，配置在亲水性的该非晶硅层上；以及进行一退火制程，使该亲水性金属催化剂形成为一金属催化剂层，并且，经由该金属催化剂层的作用使该非晶硅层转变为一多晶硅层。