[发明专利]半导体电容结构

摘要

本发明公开了一种半导体电容结构，其包含第一金属层、第二金属层、第一组介电窗插塞、第二组介电窗插塞以及介电层。该第一金属层包含第一区段，多个平行的第二区段，第三区段，及多个平行的第四区段。该第二金属层包含第五区段，多个平行的第六区段，第七区段，及多个平行的第八区段。该第一组介电窗插塞连接该第二区段及该第六区段。该第二组介电窗插塞连接该第四区段及该第八区段。

主权项

1.一种半导体电容结构，其包含有：第一金属层，包含：第一结构，其包含第一区段，及多个平行的第二区段，连接于该第一区段；及第二结构，其包含第三区段，及多个平行的第四区段，连接于该第三区段，该多个第二区段及该多个第四区段平行叉合；及第二金属层，位于该第一金属层之上，其包含：第三结构，其包含第五区段，及多个平行的第六区段，连接于该第五区段；及第四结构，其包含第七区段，及多个平行的第八区段，连接于该第七区段，该多个第六区段及该多个第八区段平行叉合，且该多个第六区段不平行于该多个第二区段；第一组介电窗插塞，连接该第二区段及该第六区段；第二组介电窗插塞，连接该第四区段及该第八区段；以及介电层，形成于该第一金属层与该第二金属层之间。