[发明专利]基片损伤防止系统和方法无效
| 申请号： | 200710181227.0 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101202212A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄荣周 | 申请（专利权）人： | 爱德牌工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了用于等离子体处理装置的基片损伤防止系统和方法。该系统可包括：基片可安装于其上的下电极、可将惰性气体供应至其上可安装基片的下电极上表面的惰性气体供应单元、以及可将空气供应至下电极上表面的空气供应单元。惰性气体可供应于下电极和基片之间以在卡紧期间控制基片的温度。空气可在松开期间供应于下电极和基片之间以允许基片易于与下电极分开。 | ||
| 搜索关键词： | 损伤 防止 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理设备，包括：定位在室中的电极，所述电极被构造成在其上接收基片以进行处理；惰性气体供应单元，其被构造成选择性地将惰性气体供应至电极上表面；和空气供应单元，其被构造成选择性地将空气供应至电极上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
