[发明专利]向衬底表面的孔穴中沉积金属硫属元素化物材料的方法无效
| 申请号： | 200710181240.6 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101174549A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 里卡尔多·鲁伊兹;德里亚·J.·米里昂;西蒙尼·拉乌克斯;戴维·B.·米特兹;阿里间德罗·G.·施罗特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/64;H01L45/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种向衬底表面的孔穴中沉积金属硫属元素化物材料的方法。该方法包括：获得亲水衬底表面；获得金属硫属元素化物的肼基前驱物的溶液；在衬底上涂敷溶液以使用所述前驱物填充所述孔穴；以及然后对前驱物进行退火以将所述前驱物转换成所述金属硫属元素化物，由此生成填充有金属硫属元素化物材料的衬底表面中的孔穴。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 表面 孔穴 沉积 金属 元素 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种向衬底表面的孔穴中沉积金属硫属元素化物材料的方法，该方法包括：获得亲水衬底表面；获得金属硫属元素化物的肼基前驱物的溶液；在衬底上涂敷溶液以使用所述前驱物填充所述孔穴；以及然后对该前驱物进行退火以将所述前驱物转换成所述金属硫属元素化物，由此生成填充有金属硫属元素化物材料的衬底表面中的孔穴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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