[发明专利]用以增强存储装置的保留特性的方法有效
| 申请号： | 200710181260.3 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101295540A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;徐子轩 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是经由执行一保留改善工艺来改善一存储装置保留特性的方法。而该保留改善工艺包含，一烘烤流程，将该存储装置安置于一高温环境下；一确认流程，决定存储装置存储单元的逻辑状态；以及一重新编程流程，经由在一0－状态编程存储单元至一高阈值电压状态，而再次地编程该存储装置。在烘烤步骤中，安置该存储装置于一高温环境下，经由释放浅层捕捉电荷来造成一电荷流失，使得保存可靠度获得改善。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 增强 存储 装置 保留 特性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善包含有多个存储单元的存储装置保留特性的方法，其特征在于，该方法包含：烘烤该多个存储单元，以造成该多个存储单元的浅层捕捉电荷被该多个存储单元所释放；确认该多个存储单元，以决定在该多个存储单元中所写入数据是否仍为相同；及若该多个存储单元未通过该确认步骤，再次重新编程该多个存储单元至高阈值电压状态。
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