[发明专利]发光二极管结构及制造方法有效
| 申请号： | 200710181506.7 | 申请日： | 2007-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101414653A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 林宏诚;李家铭;綦振瀛 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构及制造方法，是将基板放置于溶液内进行反应，使其切割道区域的表面自然形成化学反应层，然后通过选择性蚀刻，使切割道区域的表面形成多个凹部与凸部，再利用磊晶成长技术，成长半导体层结构于该基板表面的元件区域与切割道区域；然后再利用黄光微影制程，使元件区域上的半导体层结构形成发光二极管元件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种发光二极管结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供基板(10)，其表面成长钝化层(11)，并将所述钝化层(11)图形化，定义出被所述钝化层(11)覆盖的元件区域(101)与外露所述基板(10)表面的切割道区域(102)；将所述基板(10)放置于第一溶液内进行反应，使所述切割道区域(102)外露的基板(10)表面自然形成高密度的化学反应层(103)；然后以所述钝化层(11)与所述化学反应层(103)作为遮罩，对所述基板(10)的切割道区域(102)进行选择性蚀刻，使所述切割道区域(102)无所述化学反应层(103)之处形成多个具有凹部(104)与上方有所述化学反应层(103)的凸部(105)；再将所述基板(10)放置于第二溶液内蚀刻，除去所述化学反应层(103)，使所述基板(10)的切割道区域(102)表面形成具有凹部(104)与凸部(105)的不规则几何形状；除去所述钝化层(11)，且将所述基板(10)表面清洁干净；于所述基板(10)的表面利用磊晶成长技术，成长半导体层结构(20)于所述基板(10)表面的元件区域(101)与切割道区域(102)，且所述切割道区域(102)上的半导体层结构(20)具有多个半导体层凹部(204)与半导体层凸部(205)；以及利用黄光微影制程，使元件区域(101)上的半导体层结构(20)形成发光二极管元件(30)。
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