[发明专利]等离子体辅助薄膜沉积系统与方法

摘要

一种等离子体辅助薄膜沉积系统与方法，该系统主要由一等离子体薄膜沉积装置以及一等离子体工艺监控装置构成，该等离子体薄膜沉积装置可供输入脉冲电源与工艺反应气体，由脉冲电源与工艺反应气体作用产生等离子体放电解离工艺反应气体成活性物种，以进行薄膜沉积工艺；该等离子体工艺监控装置包括一等离子体成分光学放射光谱仪以及一脉冲等离子体调变程序装置，由该等离子体成分光学放射光谱仪侦测等离子体成分中活性物种的光谱强度值，再经由脉冲等离子体调变程序装置计算活性物种间的光谱强度比值，据以调变适当的脉冲电源等离子体作用时间及功率，可在微晶硅沉积的范围内获得高沉积速率，并实时掌控最佳薄膜沉积质量。

主权项

1、一种等离子体辅助薄膜沉积系统，其包含：一等离子体薄膜沉积装置，供输入脉冲电源与工艺气体，由脉冲电源与工艺气体作用产生等离子体放电，且可解离复数的活性物种，以进行薄膜沉积工艺；以及一等离子体工艺监控装置，包括：一等离子体成分光学放射光谱仪，用以侦测分析该复数活性物种的光谱强度；一脉冲等离子体调变程序装置，与该等离子体成分光学放射光谱仪及脉冲电源连接，用以计算光谱强度比值并据以调变脉冲电源参数。