[发明专利]有较小主动与接触区域的电阻随机存取存储器的制造方法

摘要

一种用以制造存储元件的方法，此存储元件包括图案化电介质层与导电层，以在接近第一接触漏极栓塞的上表面的中心处与接近第二接触漏极栓塞的上表面的中心处排列。第一电极形成在此图案化电介质层与导电层的右侧壁。侧壁绝缘构件具有第一侧壁表面与第二侧壁表面，其中此侧壁绝缘构件的第一侧壁表面接触至第一电极的侧壁。通过沉积电极层于侧壁绝缘构件的上表面与侧壁绝缘构件的第二侧壁上、并各向同性地蚀刻此电极层以形成此第二电极。

主权项

1.一种用以制造存储元件的方法，包括：形成第一电介质层，在所述第一电介质层上导电层，以及在所述导电层上第二电介质层；图案化所述第二电介质层与所述导电层，其具有第一边缘，所述第一边缘实质上对准接近至导电栓塞的上表面的中心，所述第二电介质层与所述导电层具有第一侧壁；形成第一电极，其垂直地延伸且具有第一侧壁表面与第二侧壁表面，所述第一电极的所述第一侧壁表面与所述第二电介质层和所述导电层的所述第一侧壁接触；形成侧壁绝缘构件，其具有第一侧壁表面与第二侧壁表面，所述侧壁绝缘构件的所述第一侧壁表面与所述第一电极的所述第二侧壁表面接触；形成第二电极，其垂直地延伸且具有侧壁表面，其与所述侧壁绝缘构件的所述第二侧壁表面接触，所述第二电极通过沉积电极层在所述侧壁绝缘构件的上表面上、以及所述侧壁绝缘构件的所述第二侧壁上，并各向同性地蚀刻所述电极层而形成；以及形成存储材料导桥于所述第一电极与所述第二电极之间，并横跨所述侧壁绝缘构件的上表面处，所述导桥包括一块存储材料接触所述第一电极的上表面与所述第二电极的上表面，以在所述第一电极与所述第二电极之间定义电极间路径，所述路径的长度由所述绝缘侧壁构件的厚度所定义。