[发明专利]半导体装置及制造方法、使用该半导体装置的电力变换装置

摘要

为了得到可控制电流较大且损失较低的功率半导体装置，使用加热器等加热装置令使用宽间隙半导体的双极半导体元件的温度上升。该温度是比这样的温度高的温度，在所述这样的温度下，随所述宽间隙双极半导体元件的温度上升而降低的内嵌电压的降低数量所对应的所述宽间隙双极半导体元件的恒定损失的减少数量变得比随所述温度的上升而增加的导通电阻的增加数量所对应的所述恒定损失的增加数量大。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在高杂质浓度的第1导电型的宽间隙半导体的阴极区域上形成低杂质浓度的第2导电型的宽间隙半导体漂移层的工序；在所述漂移层上形成第1导电型的宽间隙半导体基极区域的工序；在所述基极区域上形成第2导电型的宽间隙半导体阳极区域的工序；以及以带有规定的照射能量的γ射线、电子束或带电粒子束照射由于基面位错导致的有叠层缺陷的所述阴极区域、漂移区域、基极区域和/或阳极区域至规定的照射量的工序。