[发明专利]砷化镓晶片的激光加工方法

摘要

本发明提供一种砷化镓晶片的激光加工方法，在通过沿着砷化镓(GaAs)晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓(GaAs)晶片时，能够使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。所述加工方法是沿着在砷化镓基板的表面上形成为格子状的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，其包括：晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在砷化镓基板上从碎屑屏蔽膜侧，沿着间隔道照射激光光线，形成不到达背面的激光加工槽；以及切断工序，在砷化镓基板上沿着激光加工槽照射激光光线，形成到达背面的切断槽。

主权项

1.一种砷化镓晶片的激光加工方法，其是沿着砷化镓晶片的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，所述砷化镓晶片构成为在砷化镓基板的表面上，在由形成为格子状的间隔道划分而成的多个区域中形成有器件，特征在于，所述砷化镓晶片的激光加工方法包括：晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在粘贴于保护部件上的砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在表面上覆盖有所述碎屑屏蔽膜的砷化镓基板上，从所述碎屑屏蔽膜侧沿着间隔道对砷化镓基板照射具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着间隔道形成不到达背面的激光加工槽；以及切断工序，在形成了所述激光加工槽的砷化镓基板上，沿着所述激光加工槽对砷化镓基板照射具有吸收性的波长的激光光线，从而沿着所述激光加工槽形成到达背面的切断槽。