[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710182066.7 申请日: 2007-10-24
公开(公告)号: CN101187765A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 王涌锋;余良彬;潘智瑞;董畯豪 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/027;G03F7/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 台湾*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,利用剥除法与半调式光掩模,只需使用两道光掩模来分别定义第一金属层与第二金属层,该方法包括:形成一透明导电层于一基板上;图案化该透明导电层与该基板,以形成至少一扫描线沟渠与至少一电容线沟渠,该扫描线沟渠具有至少一TFT区域、一扫描线区域与至少一第一端子区域,该电容线沟渠具有至少一电容线区域与至少一第二端子区域;依序形成一第一金属层、一介电层、一硅层与一掺杂硅层;形成一第二金属层于该掺杂硅层与该透明导电层之上;以及以一次曝光的微影蚀刻法,同时定义出一TFT结构于该TFT区域中,一储存电容与一数据线于该电容线区域中,以及二端子结构分别于该第一与第二端子区域中。
搜索关键词: 液晶显示器 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括:形成一透明导电层于一基板上;图案化该透明导电层与该基板,以在该透明导电层与该基板中形成平行交错排列的至少一扫描线沟渠与至少一电容线沟渠,该至少一扫描线沟渠具有至少一TFT区域、一扫描线区域与至少一第一端子区域,该至少一电容线沟渠具有至少一电容线区域与至少一第二端子区域;依序形成一第一金属层、一介电层、一硅层与一掺杂硅层分别于该至少一扫描线沟渠与该至少一电容线沟渠之中;形成一第二金属层于该掺杂硅层与该透明导电层之上;以及以一次曝光的微影蚀刻法,同时定义出一TFT结构于该TFT区域中,一储存电容与一数据线于该电容线区域中,以及二端子结构分别于该第一与第二端子区域中。
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