[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 200710182107.2 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101127434A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 增井勇志;荒木田孝博;山内义则;菊地加代子;幸田伦太郎;山口典彦;大木智之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有至少一个参数值相互不同的多个功能部分。
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