[发明专利]基板处理装置、气体供给装置、基板墀理方法和存储介质有效
申请号: | 200710182130.1 | 申请日: | 2007-08-15 |
公开(公告)号: | CN101136322A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 益田法生 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/67;G05B19/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置、气体供给装置、基板处理方法和存储介质,其中基板处理装置的形成有向基板供给气体的气体吐出孔的喷淋头的内部被分割为向基板中央区域供给气体的中央区域和向基板周缘区域供给气体的周缘区域,从各区域向基板供给已调整流量的相同的处理气体。这时,设定从气体供给装置的中央区域的中心到该中央区域中所包含的最外侧的气体吐出孔的距离为基板半径的53%以上。此外,还向周缘区域加以添加气体。从而每次向基板供给气体后进行基板的处理时,都能够提高基板处理的面内均匀性。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 气体 供给 基板墀 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:处理容器,在其内部设置有用于载置基板的载置台;气体供给装置,其与所述载置台相对设置,构成为能够分别从中央区域和周缘区域独立地向所述基板供给已调整流量的处理气体,其中,所述中央区域与所述基板的中央区域相对并且形成有多个气体吐出孔,所述周缘区域与所述基板的周缘区域相对并且形成有多个气体吐出孔;公共气体供给装置,其用于向所述气体供给装置的所述中央区域和周缘区域供给公共气体;添加气体供给装置,其用于将添加气体供给至向所述气体供给装置的周缘区域供给的所述公共气体中;以及排气装置,其用于对所述处理容器内进行排气,其中,从所述气体供给装置的中央区域的中心到该中央区域中所包含的最外侧的气体吐出孔的距离为基板半径的53%以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造