[发明专利]用于对准衬底上的嵌段共聚物的层状微畴的方法和结构有效
申请号: | 200710184805.6 | 申请日: | 2007-10-29 |
公开(公告)号: | CN101202213A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 金昊彻;查尔斯·T.·雷特纳 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L23/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种用于对准衬底上的嵌段共聚物的层状微畴的方法和结构。提供衬底。该衬底具有能量中性的波纹状表面层。在该波纹状表面层上形成膜。该膜包括双嵌段共聚物和增刚化合物的合成物。该双嵌段共聚物包括第一聚合物嵌段的层状微畴和第二聚合物嵌段的层状微畴。至少一个层状微畴被从薄膜中去除以在该表面层上保留取向结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 对准 衬底 共聚物 层状 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括以下步骤:提供双嵌段共聚物,所述双嵌段共聚物包括第一聚合物的第一嵌段,所述第一嵌段被共价键合到第二聚合物的第二嵌段以形成双嵌段共聚物的重复单元,所述第一和第二聚合物不同;提供具有能量中性表面层的衬底,所述表面层具有一体地设置于其上的波纹,所述波纹的特征在于波纹方向;提供第三材料,所述第三材料可以与所述第一聚合物混合;将所述双嵌段共聚物与所述第三材料进行化合以形成所述双嵌段共聚物和所述第三材料的合成物;将所述合成物的膜形成在所述波纹状表面上;以及在所述膜中组装所述双嵌段共聚物的层状微畴,所述微畴在所述膜中形成自组装结构,所述结构的取向方向大致垂直于波纹的所述方向并且大致平行于所述表面层,其中在所述膜被形成于所述波纹状表面层上之后,在所述第一嵌段中所述第三材料的存在使得所述双嵌段共聚物的层状微畴关于所述波纹状表面层对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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