[发明专利]为闪存装置设定编程起始偏压的方法和使用它的编程方法无效
| 申请号： | 200710184839.5 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101174471A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 金淑景 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种为闪存装置设定编程起始偏压以执行编程操作的方法。首先，该方法使用第一编程电压执行预编程以改变选择的晶体管的阈值电压分布，并且检测改变的阈值电压分布的最大阈值电压电平。然后该方法计算检测的最大阈值电压电平与目标最大阈值电压电平之间的差异，并且设定起始偏压到通过将计算的差异加到第一编程电压所得到的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 设定 编程 起始 偏压 方法 使用 | ||
【主权项】：
1.一种为闪存装置设定编程起始偏压的方法，该方法包含：使用第一编程电压对选择的存储器单元执行预编程；在预编程之后，测量该选择的存储器单元的最高阈值电压；计算最高阈值电压与目标阈值电压分布的目标最高阈值电压之间的差异；以及通过将该差异加到第一编程电压，设定起始偏压以便编程操作。
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