[发明专利]用于多阶单元存储阵列的动态编程与读取调整有效
| 申请号： | 200710185140.0 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101174466A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 何文乔;张钦鸿;张坤龙;洪俊雄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用以操作集成电路的多阶单元存储阵列于第一编程阶级，在第一编程阶级，将第一数据编程于该多阶单元存储阵列的第一多个多阶单元中。感测这些第一多个多阶单元的临界电压，并根据这些临界电压的读取而设定一调整码。在第二编程阶级，将第二数据编程于该多阶单元存储阵列的第二多个多阶单元中，这些第二多个多阶单元具有根据该调整码而设定的一组编程验证值。在又一实施例中，根据该调整码而设定用以读取这些第二多个多阶单元的一参考电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 单元 存储 阵列 动态 编程 读取 调整 | ||
【主权项】：
1.一种用以操作一集成电路的一多阶单元(MLC)存储阵列的方法，包括：在第一编程阶级，将第一数据编程于所述多阶单元存储阵列的第一多个多阶单元中；感测所述第一多个多阶单元的临界电压；根据所述临界电压的读取而设定一调整码；以及在第二编程阶级，将第二数据编程于所述多阶单元存储阵列的第二多个多阶单元中，所述第二多个多阶单元具有根据所述调整码而设定的一组编程验证值。
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