[发明专利]具有铁电器件的半导体存储器器件及其更新方法无效
| 申请号： | 200710185776.5 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101276638A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 姜熙福;洪锡敬 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/108;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有铁电器件的半导体存储器器件及其更新方法。该器件包括形成在衬底中的沟道区、漏区和源区、形成在沟道区上方的铁电层、和形成在铁电层上方的字线。根据铁电层的极性状态将不同的沟道电阻引入沟道区，在读取电压施加于字线和读出偏压施加于漏区和源区之一时，通过根据铁电层的极性状态区分的单元读出电流值执行数据读取操作，以及通过根据施加于字线、漏区和源区的电压改变的铁电层的极性来执行数据写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 器件 半导体 存储器 及其 更新 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器器件，包括：形成在衬底中的沟道区、漏区和源区；形成在该沟道区上方的铁电层；和形成在该铁电层上方的字线，其中在根据该铁电层的极性状态将不同的沟道电阻引入该沟道区，读取电压施加于该字线和读出偏压施加于该漏区和该源区之一时，通过根据该铁电层的极性状态区分的单元读出电流值执行数据读取操作，和通过将电压施加于该字线、该漏区和该源区以改变该铁电层的极性来执行数据写入操作。
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