[发明专利]具有厚氧化物输入级晶体管的深亚微米MOS前置放大器有效
| 申请号： | 200710185794.3 | 申请日： | 2007-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101287304A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | P·F·霍福斯坦;L·J·斯坦博格 | 申请（专利权）人： | 桑尼奥公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H04R19/04;H04R1/04;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 丹麦罗*** | 国省代码： | 丹麦;DK |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容式话筒装置，包括：电容式话筒换能器，具有被相邻近地放置的振动片和背板部件，在振动片和背板部件之间具有气隙。此外，该装置还具有深亚微米MOS集成电路管芯，包括前置放大器，该前置放大器包括用于接收由电容式话筒换能器所产生的电信号的第一信号输入端。所述第一信号输入端可操作地耦合至前置放大器的输入级，所述输入级包括厚氧化物晶体管。本发明还涉及一种深亚微米MOS集成电路管芯，包括基于厚氧化物晶体管的前置放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化物 输入 晶体管 微米 mos 前置放大器 | ||
【主权项】：
1、一种电容式话筒装置，包括：电容式话筒换能器，具有被相邻近地放置的振动片和背板部件，在振动片和背板部件之间具有气隙；和深亚微米MOS集成电路管芯，包括前置放大器，该前置放大器包括用于接收由电容式话筒换能器所产生的电信号的第一信号输入端，所述第一信号输入端可操作地耦合至前置放大器的输入级，所述输入级包括厚氧化物晶体管。
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