[发明专利]利用磁畴壁移动的信息存储装置及其制造和操作方法无效
| 申请号： | 200710185795.8 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101299347A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 林志庆;左圣熏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置，以及制造和操作该信息存储装置的方法。该信息存储装置包括具有磁畴的存储轨道和用于将数据记录到存储轨道的写头，其中写头包括：第一磁性层和第二磁性层，该第二磁性层形成为覆盖第一磁性层的一部分并具有比第一磁性层更小的磁各向异性能。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁畴壁 移动 信息 存储 装置 及其 制造 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用磁畴壁移动的信息存储装置，该信息存储装置包括：具有磁畴的存储轨道，每一个磁畴具有一磁化方向；以及将数据记录到所述存储轨道的写头，其中，所述写头包括：第一磁性层；和第二磁性层，所述第二磁性层设置为与所述第一磁性层的一部分相接触并具有比所述第一磁性层更小的磁各向异性能。
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