[发明专利]不对称多栅极晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200710186074.9 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183686A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 程慷果 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种不对称多栅极晶体管。在一实施例中，不对称多栅极晶体管具有包含不均匀掺杂剖面的半导体鳍。鳍的第一部分具有较高掺杂浓度而鳍的第二部分具有较低掺杂浓度。在另一实施例中，提供一种不对称多栅极晶体管，其具有形成在半导体鳍上的厚度不同的栅电介质。不对称多栅极晶体管具有形成在半导体鳍第一侧部上的薄栅电介质和形成在鳍的第二侧部上的厚栅电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 不对 称多 栅极 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种不对称多栅极晶体管，包括：衬底；形成在该衬底上的半导体鳍，其中用半导体掺杂剂不对称地掺杂该半导体鳍，其中该鳍的第一侧部具有高掺杂浓度且与其相反的第二侧部具有较低掺杂浓度；形成在该鳍上的栅电介质，其中该栅电介质包括形成在该鳍的具有高掺杂浓度的第一侧部上的第一栅电介质和形成在该鳍的具有较低掺杂浓度的第二侧部上的第二栅电介质；形成在该第一栅电介质上的第一栅导体；以及形成在该第二栅电介质上的第二栅导体。
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