[发明专利]高亮度正装LED芯片的制作方法无效
| 申请号： | 200710186130.9 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101471405A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 翁沛喜 | 申请（专利权）人： | 深圳市方大国科光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚;张秋红 |
| 地址： | 518055广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了高亮度正装LED芯片的制作方法，包括以下步骤：蓝宝石衬底上生长外延片；在外延片上沉积SiO2薄膜；以SiO2薄膜作掩膜，光刻出芯片的N区图形；用腐蚀溶液清洗未受光刻胶保护的SiO2；用剥离液清洗去除光刻胶；刻蚀N面台阶和芯片尺寸的划道，露出N-GaN台面；ICP干法刻蚀粗化N-GAN表面；外延片表面蒸镀沉积铟锡氧化物薄膜；蒸镀以Cr/Ni/Au为金属组合的P-N电极。本发明通过增加光从n-GaN折射到空气中的机率，提高LED器件的外量子效率。本发明可用在正装LED芯片的制备工艺中，其工艺简单、成本低、适用于工业化生产，能大大提高外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种高亮度正装LED芯片的制作方法，包括以下步骤：(1)、在蓝宝石衬底上生长外延片；(2)、在外延片上沉积SiO2薄膜；(3)、以SiO2薄膜作掩膜，利用光刻技术光刻出芯片的N区图形；(4)、用腐蚀溶液清洗未受光刻胶保护的SiO2；(5)、用剥离液清洗去除光刻胶；(6)用ICP刻蚀N面台阶和芯片尺寸的划道，露出n-GaN台面；(7)、在外延片表面蒸镀沉积铟锡氧化物薄膜；(8)、蒸镀以Cr/Ni/Au为金属组合的P-N电极；其特征在于，在步骤(6)与(7)之间增加ICP干法刻蚀粗化n-GaN表面步骤，粗化后，n-GaN表面的粗化度为300—500nm。
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