[发明专利]制造带切口的尾屏蔽件的改进方法无效
| 申请号： | 200710186330.4 | 申请日： | 2007-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101178903A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 阿曼达·贝尔;亨－钦·格思里;徐一民;江明;阿伦·彭泰克 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明披露了用于在制造带切口的尾屏蔽件结构期间改善晶片内和晶片间成品率的方法。在平坦化和形成切口之前淀积Ta/Rh CMP停止层以确保用于尾屏蔽件结构的平坦表面。这些停止层可以是毯式淀积的或在CMP之前构图的。图案化的停止层产生了最高的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 切口 屏蔽 改进 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造垂直头的方法，包括：在衬底表面上形成极结构，所述极结构具有与所述衬底接触的有锥度的极部分、淀积在所述有锥度的极部分上的间隙层、以及淀积在所述间隙层上的间隔层；在所述衬底的所述表面上淀积包围所述极结构的电介质层，所述电介质层具有厚度为T1的第一部分和厚度为T2的第二升高部分，所述电介质层的所述第一部分具有基本平行于所述衬底的所述表面的表面，所述电介质层的所述第二升高部分基本在所述极结构之上居于中心，所述厚度T2大于所述厚度T1；在所述电介质层上淀积停止层；以及在淀积所述停止层之后，通过CMP工艺对所述电介质层平坦化，淀积在所述电介质层的所述第一部分上的所述停止层部分用于终止所述CMP工艺。
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