[发明专利]悬浮微机电结构制造方法有效
| 申请号： | 200710186418.6 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101434376A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 李升鸿;陈晓翔;刘政谚;叶力垦 | 申请（专利权）人： | 微智半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种悬浮微机电结构制造方法，包括以下步骤：首先，在硅基底上表面形成至少一层内部具有金属微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一个微结构与至少一个金属牺牲结构，且该金属牺牲结构内具有金属层及连接各金属层的金属插销层；其次，在绝缘层的上表面制作至少一层阻绝层；再次，在硅基底下表面制作至少一层蚀刻阻绝层；第四步，从硅基底下表面进行蚀刻，形成相应微机电结构内悬浮微结构的空间；最后，对金属牺牲结构进行蚀刻，形成微机电结构的悬浮。本发明能有效避免悬浮微机电结构及其周围绝缘层的不当侵蚀，降低悬浮微机电结构曝露率，能与一般集成电路封装整合减少最后封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 悬浮 微机 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种悬浮微机电结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅基底上表面形成至少一层内部具有金属微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一个微结构与至少一个金属牺牲结构，且该金属牺牲结构内具有金属层及连接各金属层的金属插销层；第二步，在绝缘层的上表面制作至少一层阻绝层；第三步，在硅基底下表面制作至少一层蚀刻阻绝层；第四步，从硅基底下表面进行蚀刻，形成相应微机电结构内悬浮微结构的空间；第五步，对金属牺牲结构进行蚀刻，形成悬浮微机电结构的空间，形成悬浮微机电结构。
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