[发明专利]用于提升保存能力的双稳态阻抗随机存取存储器结构

摘要

一种双稳态阻抗随机存取存储器，用于增加阻抗随机存取存储器的数据保存能力。位于阻抗存储部(RRAM)下方的介电部例如是下介电部，可以改善资讯保存的设定/重置窗。下介电部的沉积方法可以采用等离子体增强型化学气相沉积法或是高密度等离子体化学气相沉积法。一种适合用来形成下介电部的材料为氧化硅。双稳态阻抗随机存取存储器包括一下介电部，其位于阻抗存储部和下电极之间，或位于阻抗存储部和下接触窗插塞之间。其他层包括一位线、一上接触窗，以及一上电极，位于阻抗存储部之上表面上方。上电极的侧边和阻抗存储部基本上彼此对齐。

主权项

1.一种存储结构，包括：第一电极与导电部；下介电部，覆盖该导电部，该下介电部具有多个侧边；阻抗存储部，覆盖该下介电部，该阻抗存储部具有多个侧边，其基本上对齐该下介电部的侧边；以及上介电质，位于该第一电极下方，该上介电质实质覆盖该阻抗存储部的侧边以及该下介电部的侧边。