[发明专利]存储单元及其制造方法有效
申请号: | 200710186766.3 | 申请日: | 2007-11-16 |
公开(公告)号: | CN101237024A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 格哈德·I·梅杰;阿莱詹德罗·G·施罗特;西格弗里德·F·卡格;埃里克·A·约瑟夫;林仲汉;约翰尼斯·G·贝德诺兹 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/02;G11C11/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种存储单元,包括:电阻性结构;至少两个耦接至所述电阻性结构的电极;以及至少一个蓄氢结构,其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。 | ||
搜索关键词: | 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储单元,包括:电阻性结构;耦接至所述电阻性结构的至少两个电极;以及至少一个蓄氢结构,其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。
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