[发明专利]具有电阻性尖端的半导体探针及其制造方法有效
| 申请号： | 200710186767.8 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101183566A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴哲民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G12B21/02 | 分类号： | G12B21/02;G11B9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有电阻性尖端的半导体探针以及所述半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：电阻性尖端，其掺有第一杂质，且其顶部掺有低浓度的第二杂质，所述第二杂质与所述第一杂质极性相反，其中在所述电阻性尖端的斜面上形成掺有高浓度第二杂质的第一和第二半导体电极区；形成于所述电阻性尖端上的电介质层；电场屏蔽件，其形成于所述电介质层上，且连同所述电介质层一起在所述电阻性尖端的顶部上形成平面；以及具有末端的悬臂，所述电阻性尖端位于所述末端上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 尖端 半导体 探针 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有电阻性尖端的半导体探针，包括：电阻性尖端，其掺有第一杂质，且其顶部掺有较低浓度的第二杂质，所述第二杂质与所述第一杂质极性相反，其中在所述电阻性尖端的斜面上形成掺有较高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；形成于所述电阻性尖端上的电介质层；电场屏蔽件，其形成于所述电介质层上，且与所述电介质层一起在所述电阻性尖端的顶部上形成平面；以及悬臂，具有所述电阻性尖端位于其上的端部。
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