[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该结构包括多个具有不同垂直尺度的半导体鳍的finFET。在希望具有减小的垂直尺度的选定半导体鳍的底部分中注入植入物质。相对于没有被植入物质的半导体材料，即半导体鳍的顶部分中及没有被植入物质的其他半导体鳍中的半导体材料，有选择地蚀刻具有植入物质的选定半导体鳍的底部分。于是在同样的半导体衬底上获得了具有完整垂直尺度的鳍和高导通电流的FinFET以及具有减小的垂直尺度的鳍和低导通电流的FinFET。通过调节植入物质的深度，可以在选定的finFET中调节半导体鳍的垂直尺度。

主权项

1.一种半导体结构，包括：至少一个第一半导体鳍，其具有第一顶表面和第一垂直尺度并位于半导体衬底上；以及至少一个第二半导体鳍，其具有第二顶表面和第二垂直尺度并位于所述半导体衬底上，其中所述第一顶表面的高度和所述第二顶表面的高度相等，且所述第二垂直尺度小于所述第一垂直尺度的90％。