[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710186941.9 | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101211878A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 卢克·比兰格尔;斯蒂芬·L.·布奇沃尔特;利纳·P.·布奇沃尔特;阿贾伊·P.·吉利;乔纳森·H·格里菲思;唐纳德·W.·亨德森;康圣权;埃里克·H.·莱内;克里斯蒂·拉沃伊;鲍尔·A·劳罗;瓦莱里·A.·奥伯森;史达原;卡马列什·K.·斯里瓦斯塔瓦;迈克尔·J.·萨利文 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种适用于将微电子器件芯片倒装芯片地附着到封装上的互连结构包括两层、三层或四层焊球受限冶金，该焊球受限冶金包括粘合/反应阻挡层，并且具有与含锡无铅焊料的组分反应的焊料可润湿层，从而在焊接的过程中可焊接层可以全部被消耗掉，但是，在焊接的过程中阻挡层在其被放置成与无铅焊料接触之后保留下来。一个或多个无铅焊球，其选择性地位于所述焊料可润湿层上，所述无铅焊球包含作为主要组分的锡和一种或多种合金组分。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.在适用于将微电子器件芯片倒装芯片地附着到芯片载体上的互连结构中，一种三层焊球受限冶金包括：粘合层，用于沉积在晶片或衬底上；选自包括Ni、Co、Ru、W、V、Nb、Hf、Mo及它们的合金的组中的物质的焊料反应阻挡层；以及焊料可润湿层。
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